JIS L0887-1975 耐荧光增白色牢度试验方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-16 00:16:18   浏览:8456   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Testingmethodforcolourfastnesstolightfluorescentwhiteningagentsandfluorescentwhitenedtextiles
【原文标准名称】:耐荧光增白色牢度试验方法
【标准号】:JISL0887-1975
【标准状态】:作废
【国别】:日本
【发布日期】:
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JISC)
【起草单位】:ConsumerLife
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:比色法;纺织产品;荧光;色牢度试验;色度特征;纺织材料;染色
【英文主题词】:colorimetry;colorimetriccharacteristics;;fluorescence;textiles;textileproducts;dyeing
【摘要】:
【中国标准分类号】:W70
【国际标准分类号】:59_120_50
【页数】:8P;A4
【正文语种】:日语


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基本信息
标准名称:硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文名称:Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
替代情况:替代GB/T 6617-1995
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
首发日期:1986-07-26
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人:马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-06-01
页数:12页
计划单号:20065629-T-469
适用范围

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

前言

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目录

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引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
【英文标准名称】:LampBallast-LineFrequencyFluorescentLampBallast
【原文标准名称】:荧光灯镇流器规范
【标准号】:ANSIC82.1-2004
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2004
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:ANSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:镇流器;荧光灯;灯
【英文主题词】:Ballasts;Fluorescentlamps;Lamps
【摘要】:Thisstandardisintendedtocoverballastswhichhaveratedopen-circuitvoltagesof2000voltsorlessandareintendedtooperatelampsatafrequencyof50Hzor60Hz.
【中国标准分类号】:K74
【国际标准分类号】:29_140_99
【页数】:
【正文语种】:英语